(서울=연합인포맥스)최정우박준형기자=윤석열대통령이참석한가운데대한상공회의소가주최하는'제51회상공의날'행사가열렸다.

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삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.