(서울=연합인포맥스)김경림기자=차세대고대역폭메모리HBM(HBM3E)시장을두고SK하이닉스와삼성전자의신경전이치열하다.
간밤증시투자자들은3월연방공개시장위원회(FOMC)정례회의결과에주목했다.
이는연준의목표치를훨씬상회하는수치이지만3월연방공개시장위원회(FOMC)에서공개된점도표에따르면연준관계자들은연말까지세차례금리인하전망을유지했다.
삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.
21일연합인포맥스신주식종합(화면번호3536)에따르면코스피는오후2시47분기준전일보다59.11포인트(2.20%)상승한2,749.25에거래되고있다.
이번보고서는14번째발간한것으로,한수원홈페이지(www.khnp.co.kr)에서열람및다운로드할수있다.
연합인포맥스의해외금리일중화면(화면번호6532)에따르면21일(이하미국동부시간)오전8시30분현재뉴욕채권시장에서10년물국채금리는전거래일오후3시기준보다4.70bp하락한4.227%를기록했다.
지난해9월부터6개월연속3%를하회한흐름이이어졌으나전월치인2.0%는상회