삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.

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금리인하기대감과국고채반등속에서기관들의투자심리역시견고하게이어지고있다.

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뉴욕차액결제선물환(NDF)시장에서달러-원1개월물은지난밤1,333.00원(MID)에최종호가됐다.최근1개월물스와프포인트(-2.15원)를고려하면전장서울외환시장현물환종가(1,322.40원)대비12.75원오른셈이다.(금융시장부기자)

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간밤달러-엔은전장서울환시마감대비0.43%올랐다.이에일본당국의개입경계감도짙어졌다.전날에도일본당국은구두개입성발언을내놓았다.

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이런사업적이유로최근삼성전자의일본사업역시과거와다른흐름으로전개되고있다.후공정시설외에도,R&D센터인'디바이스솔루션리서치재팬(DSRJ)'이지난해초설립된바있다.

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한스브랑켄내정자는정기이사회승인절차를거쳐오는6월1일대표이사로정식취임할예정이다.

SK하이닉스는2027년상반기팹1기가동을목표로연내건축허가를마치고,내년3월착공한다는계획이다.