삼성전자는올해256기가바이트(GB)DDR5모듈을개발해고집적시장을선도하고고대역메모리(HBM)경쟁력도강화한다는계획이다.아울러V낸드등신공정개발에박차를가해업계를선도한다는목표를세웠다.

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(서울=연합인포맥스)정필중기자=반도체종목의약진속에서국내증시가상승폭을키우고있다.미국메모리칩제조업체마이크론이시장예상을웃도는2분기실적과3분기전망치를내놓자,우호적인업황기대로SK하이닉스주가는장중9%가오르기도했다.

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이날대만가권지수는전장대비29.34포인트(0.15%)오른20,228.43에장을마쳤다.

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그는노동수요는여전히가용인력의공급을웃돌고있다며미국국내총생산(GDP)전망치를상향조정한것은노동공급에따른것이라고말했다.

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도카이도쿄인텔리전스랩의스즈키세이이치애널리스트는"(BOJ결정발표전)선물과함께풋옵션을미리매수했던해외세력이풋옵션매도물량을내놓으며지수선물환매를부추겨지수상승요인으로작용했다"고도분석했다.

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삼성전자는지금까지TC(열압착)-NCF라는방식으로HBM을제조해왔다.D램을한장씩쌓은뒤,사이에NCF라는비전도성접착필름을통해붙이는방식이다.'TC본더'라는장비로열압착방식을적용하기때문에SK하이닉스제품보다는덜휜다는장점이있지만동시에수율이떨어진다는우려도있다.

※최첨단메모리반도체생산기지착공지원나서(21일석간)